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FDD8780

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

FDD8780 データシート

非準拠

FDD8780 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.33016 -
5,000 $0.30740 -
12,500 $0.29601 -
25,000 $0.28980 -
1004555 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1440 pF @ 13 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

TK10A60W,S4VX
IRLZ34NSTRLPBF
AOTF66613L
FDP80N06
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$0 $/ピース
630A
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$0 $/ピース
PMZB600UNELYL
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$0 $/ピース
SIHF12N65E-GE3
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$0 $/ピース
SI7880ADP-T1-E3
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$0 $/ピース
PJP4NA65H_T0_00001

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