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FDMA1025P

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

FDMA1025P データシート

非準拠

FDMA1025P 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.30305 -
6,000 $0.28215 -
15,000 $0.27170 -
30,000 $0.26600 -
92860 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.8nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450pF @ 10V
パワー - 最大 700mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 6-MicroFET (2x2)
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関連部品番号

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