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FDMD8900

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

FDMD8900 データシート

非準拠

FDMD8900 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.96852 -
15710 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A, 17A
rds オン (最大) @ id、vgs 4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2605pF @ 15V
パワー - 最大 2.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 12-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 12-Power3.3x5
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関連部品番号

VEC2415-TL-W-Z
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$0 $/ピース
RF1S630
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$0 $/ピース
G33N03D3
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$0 $/ピース
FSS275-TL-E-SA
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$0 $/ピース
2SJ634-E
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DMC2990UDJQ-7
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MSCSM120AM31CTBL1NG
IXTL2X180N10T
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$0 $/ピース
DMN3032LFDBWQ-7
MSCSM170TAM15CTPAG

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