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FDP6030BL

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

FDP6030BL データシート

compliant

FDP6030BL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.57000 $1.57
10 $1.38900 $13.89
100 $1.09770 $109.77
800 $0.74373 $594.984
1,600 $0.67204 -
7865 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1160 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -65°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

NTMFS4C08NT3G
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$0 $/ピース
IPA60R165CPXKSA1
R6015ENJTL
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$0 $/ピース
PMXB43UNEZ
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$0 $/ピース
NTS4001NT3G
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$0 $/ピース
RM130N200T2
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$0 $/ピース
3LN01SS-TL-H
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$0 $/ピース
HUF76633S3ST
IXFH36N60P
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$0 $/ピース
IPA105N15N3GXKSA1

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