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FDP8870

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDP8870 データシート

compliant

FDP8870 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.98000 $1.98
10 $1.78900 $17.89
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Ta), 156A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5200 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 160W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SI7856ADP-T1-E3
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$0 $/ピース
IRLR110ATM
IRLR110ATM
$0 $/ピース
NVATS5A112PLZT4G
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$0 $/ピース
IPI16CNE8N G
IPI16CNE8N G
$0 $/ピース
NP60N04KUG-E1-AY
IRF6785MTR1PBF
SPP20N65C3HKSA1
PSMN070-200B,118-NEX
FQPF55N10
FQPF55N10
$0 $/ピース

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