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FDS8962C

FDS8962C

FDS8962C

P-CHANNEL POWER MOSFET

FDS8962C データシート

compliant

FDS8962C 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A, 5A
rds オン (最大) @ id、vgs 30mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 26nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 575pF @ 15V
パワー - 最大 900mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

SP8M70TB1
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$0 $/ピース
ECH8659-TL-W
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SIA914ADJ-T1-GE3
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ECH8662-TL-H
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MP6K14TCR
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NVMFD5875NLWFT3G
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SI7236DP-T1-E3
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FDR8305N
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SI4944DY-T1-E3
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AON4807_101

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