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FDU8882

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MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK

FDU8882 データシート

非準拠

FDU8882 価格と注文

単価 外貨価格
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.6A (Ta), 55A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1260 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 55W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

FCPF250N65S3R0L
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$0 $/ピース
HUFA76413D3
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SPU09P06PL
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NTMFS4983NFT3G
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IXTA02N450HV
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NVMFS5C450NT1G
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BUK9660-100A,118
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IRF7207TRPBF
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