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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1.1A |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | - |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 1.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大) | +5.5V, -300mV |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 85 pF @ 15 V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-WLCSP (1x1) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, WLCSP |
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