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FDZ663P

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FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA

FDZ663P データシート

compliant

FDZ663P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
60000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.2 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 525 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 4-WLCSP (0.8x0.8)
パッケージ/ケース 4-XFBGA, WLCSP
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関連部品番号

STL28N60DM2
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HUF76121S3
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PSMN1R2-55SLHAX
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NVTFWS8D1N08HTAG
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IXTF1N250
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SCT30N120D2
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DMT3003LFGQ-7
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