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FQA9N90-F109

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

compliant

FQA9N90-F109 価格と注文

単価 外貨価格
450 $2.75802 $1241.109
398 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 900 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 240W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PN
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
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