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FQAF12P20

FQAF12P20

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MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF

FQAF12P20 データシート

compliant

FQAF12P20 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 470mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 70W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PF
パッケージ/ケース TO-3P-3 Full Pack
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関連部品番号

IPD50R399CPBTMA1
IXFH28N50Q
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MTP2P50EG
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FDMS9411-F085
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BSP300 E6327
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FQA11N90C
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NTLJS3D9N03CTAG
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STB21NK50Z
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IRF6215LPBF
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MCH3382-TL-W
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