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FQB11P06TM

FQB11P06TM

FQB11P06TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

非準拠

FQB11P06TM 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.55256 $442.048
1,600 $0.50182 -
2,400 $0.47009 -
5,600 $0.44788 -
20,000 $0.43202 -
1678 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 550 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 53W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

RS3G160ATTB1
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$0 $/ピース
SIHG25N40D-E3
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R6504ENJTL
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AOTF20S60L
IRFB7430GPBF
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VN2210N2
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IRLD024PBF
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STF6N90K5
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FQH35N40
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