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FQB34N20TM

FQB34N20TM

FQB34N20TM

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

FQB34N20TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.51000 $2.51
500 $2.4849 $1242.45
1000 $2.4598 $2459.8
1500 $2.4347 $3652.05
2000 $2.4096 $4819.2
2500 $2.3845 $5961.25
4976 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 31A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 15.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IRFP2907ZPBF
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2N7002K-T1-E3
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