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FQB6N90TM

FQB6N90TM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FQB6N90TM データシート

非準拠

FQB6N90TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.15000 $2.15
500 $2.1285 $1064.25
1000 $2.107 $2107
1500 $2.0855 $3128.25
2000 $2.064 $4128
2500 $2.0425 $5106.25
1341 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 900 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1880 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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