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FQB7N80TM

FQB7N80TM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FQB7N80TM データシート

compliant

FQB7N80TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1850 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

FDMS0302S
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$0 $/ピース
STW13NK50Z
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IXFH15N100Q
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SI4835BDY-T1-E3
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NTB75N06LT4
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IRF5805TR
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NTD12N10T4G
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IRFP264NPBF
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PHM12NQ20T,518
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IPI037N08N3GXKSA1

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