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FQD1N60TM

FQD1N60TM

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MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

FQD1N60TM データシート

compliant

FQD1N60TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.31000 $0.31
500 $0.3069 $153.45
1000 $0.3038 $303.8
1500 $0.3007 $451.05
2000 $0.2976 $595.2
2500 $0.2945 $736.25
4980 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 150 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FDMA530PZ
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SI2301A-TP
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SIR680ADP-T1-RE3
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FDMS015N04B
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