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FQPF20N06

FQPF20N06

FQPF20N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FQPF20N06 データシート

compliant

FQPF20N06 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21100 $12.11
100 $0.95670 $95.67
500 $0.74196 $370.98
1,000 $0.58575 -
1124 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 60mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 590 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

FDD120AN15A0
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$0 $/ピース
IXFK170N20P
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$0 $/ピース
STW27N60M2-EP
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$0 $/ピース
STB13N60M2
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$0 $/ピース
NTH4L160N120SC1
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$0 $/ピース
SI4156DY-T1-GE3
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$0 $/ピース
IPLK70R1K4P7ATMA1
IPP60R250CPXKSA1
IPN70R1K2P7SATMA1
AOB12N65L

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