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FQPF33N10L

FQPF33N10L

FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FQPF33N10L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.89000 $1.89
10 $1.67600 $16.76
100 $1.32490 $132.49
500 $1.02744 $513.72
1,000 $0.81114 -
18330 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1630 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 41W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F-3
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

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STY145N65M5
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SQ3418EV-T1_GE3
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STP150N3LLH6
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$0 $/ピース
SSU1N50BTU
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$0 $/ピース
SQJ123ELP-T1_GE3
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FQB19N20TM
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RQ6E045BNTCR
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2N7002ET7G
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