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FQPF9N25C

FQPF9N25C

FQPF9N25C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

FQPF9N25C データシート

compliant

FQPF9N25C 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21200 $12.12
100 $0.95780 $95.78
500 $0.74278 $371.39
1,000 $0.58641 -
9565 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 250 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 710 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 38W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F-3
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

NTMFS0D6N03CT1G
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$0 $/ピース
FCH060N80-F155
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$0 $/ピース
MSC025SMA120S
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$0 $/ピース
IRFBE30LPBF
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$0 $/ピース
2SK4098LS
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$0 $/ピース
TSM4ND65CI
DMP10H4D2S-13
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$0 $/ピース
APT22F120B2
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$0 $/ピース
IPP17N25S3100AKSA1
IRFI620GPBF
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$0 $/ピース

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