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G3S12010H

G3S12010H

G3S12010H

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

SOT-23

G3S12010H データシート

非準拠

G3S12010H 価格と注文

単価 外貨価格
1 $18.36000 $18.36
500 $18.1764 $9088.2
1000 $17.9928 $17992.8
1500 $17.8092 $26713.8
2000 $17.6256 $35251.2
2500 $17.442 $43605
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 16.5A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 765pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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関連部品番号

JANTXV1N4148UR-1/TR
RBR1L60ATE25
RBR1L60ATE25
$0 $/ピース
RGP10M
RGP10M
$0 $/ピース
CDBQR00340
CDBQR00340
$0 $/ピース
EGP30G
EGP30G
$0 $/ピース
S3D30065D1
S3D30065D1
$0 $/ピース
1N4937G-T
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R1800F
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$0 $/ピース

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