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G3S12010M

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G3S12010M データシート

compliant

G3S12010M 価格と注文

単価 外貨価格
1 $16.17000 $16.17
500 $16.0083 $8004.15
1000 $15.8466 $15846.6
1500 $15.6849 $23527.35
2000 $15.5232 $31046.4
2500 $15.3615 $38403.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 23.5A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 765pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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関連部品番号

RR264MM-400TFTR
RR264MM-400TFTR
$0 $/ピース
RSFDLHR3G
BAS70E6433HTMA1
RFN20TF6SFH
RFN20TF6SFH
$0 $/ピース
NRVBA210LT3G
NRVBA210LT3G
$0 $/ピース
NTE5947
NTE5947
$0 $/ピース
S5D-CT
S5D-CT
$0 $/ピース

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