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G4S06508QT

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN8*

非準拠

G4S06508QT 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.16000 $5.16
500 $5.1084 $2554.2
1000 $5.0568 $5056.8
1500 $5.0052 $7507.8
2000 $4.9536 $9907.2
2500 $4.902 $12255
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 34A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 8 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 395pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
サプライヤーデバイスパッケージ 4-DFN (8x8)
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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