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G5S12008C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI

G5S12008C データシート

compliant

G5S12008C 価格と注文

単価 外貨価格
1 $8.61000 $8.61
500 $8.5239 $4261.95
1000 $8.4378 $8437.8
1500 $8.3517 $12527.55
2000 $8.2656 $16531.2
2500 $8.1795 $20448.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 28.9A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 8 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 550pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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関連部品番号

MUR130RLG
MUR130RLG
$0 $/ピース
BAS70W-AU_R1_000A1
SB1045_T0_00001
DSI45-16AR
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SBM1060L_T0_00001
CMR3U-01 BK PBFREE
EGP30C
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