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G5S12010D

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G5S12010D データシート

compliant

G5S12010D 価格と注文

単価 外貨価格
1 $13.49000 $13.49
500 $13.3551 $6677.55
1000 $13.2202 $13220.2
1500 $13.0853 $19627.95
2000 $12.9504 $25900.8
2500 $12.8155 $32038.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 30.9A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 825pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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関連部品番号

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HS2M
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GP3D040A065U
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SDT5100LP5-13D
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NRVB8H100MFST3G
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