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HUF75339S3ST

HUF75339S3ST

HUF75339S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF75339S3ST 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
650 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 75A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 130 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

FQD1N50TM
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NVTFS4C08NWFTWG
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SUM90220E-GE3
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BUZ73A
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MCH3427-TL-E
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