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HUF76129S3ST

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HUF76129S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

HUF76129S3ST 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 56A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16Ohm @ 56A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1350 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 105W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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FQP90N10V2
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2SK3746-1E
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SI7758DP-T1-GE3
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