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HUF76443S3ST

HUF76443S3ST

HUF76443S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF76443S3ST 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
800 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 75A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 129 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4115 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 260W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SIRA58DP-T1-GE3
SIRA58DP-T1-GE3
$0 $/ピース
FDP6030L
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$0 $/ピース
NTD4809N-1G
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$0 $/ピース
PSMN3R0-30YL,115
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$0 $/ピース
AUIRF4905S
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$0 $/ピース
IRLR110TRPBF
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$0 $/ピース
AOD21357
IXTY02N50D
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$0 $/ピース
APT6015LVRG
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$0 $/ピース
PJW5N10_R2_00001

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