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HUFA75307T3ST

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

非準拠

HUFA75307T3ST 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
26380 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 90mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 250 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

RM4N700LD
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STB2N62K3
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SI4835DDY-T1-E3
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PHB33NQ20T,118
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IXTN200N10L2
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FQD30N06TM
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