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IRF120

IRF120

IRF120

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF120 データシート

compliant

IRF120 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.84000 $1.84
500 $1.8216 $910.8
1000 $1.8032 $1803.2
1500 $1.7848 $2677.2
2000 $1.7664 $3532.8
2500 $1.748 $4370
498 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AA
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関連部品番号

NTPF360N65S3H
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$0 $/ピース
IPW65R125CFD7XKSA1
RJK60S4DPE-WS#J3
DMPH1006UPS-13
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$0 $/ピース
TK10E80W,S1X
FDMS86500L
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$0 $/ピース
MCB40P10Y-TP
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$0 $/ピース
BSB053N03LPG
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$0 $/ピース
RJK1536DPE-00#J3
NTH4L015N065SC1
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