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IRF331

IRF331

IRF331

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF331 データシート

compliant

IRF331 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.18000 $2.18
500 $2.1582 $1079.1
1000 $2.1364 $2136.4
1500 $2.1146 $3171.9
2000 $2.0928 $4185.6
2500 $2.071 $5177.5
5724 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 350 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AA, TO-3
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関連部品番号

NVTP2955G
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2SK1093-E
DMNH4005SPSQ-13
STFH10N60M6
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RF1S45N06LESM9A
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NP80N055MHE-S18-AY
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MCB130N10YA-TP
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FQP13N50C-G
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