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IRF353

IRF353

IRF353

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF353 データシート

compliant

IRF353 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.96000 $3.96
500 $3.9204 $1960.2
1000 $3.8808 $3880.8
1500 $3.8412 $5761.8
2000 $3.8016 $7603.2
2500 $3.762 $9405
460 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 350 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AA, TO-3
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