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IRF523

IRF523

IRF523

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF523 データシート

compliant

IRF523 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
2608 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

NDCTR2065A
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NTMFS6H858NT1G
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MCAC95N065Y-TP
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RF1S4N100SM9A
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NVMFWS3D0P04M8LT1G
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RJK5013DPP-E0#T2
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