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IRF541

IRF541

IRF541

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF541 データシート

compliant

IRF541 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.46000 $1.46
500 $1.4454 $722.7
1000 $1.4308 $1430.8
1500 $1.4162 $2124.3
2000 $1.4016 $2803.2
2500 $1.387 $3467.5
4100 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 28A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 77mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

DMN3009SFG-13
DMN3009SFG-13
$0 $/ピース
N0603N-S23-AY
IPA060N06NM5SXKSA1
TK065Z65Z,S1F
2SK681A-AZ
RFG30P05
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$0 $/ピース
DMP26M1UPS-13
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$0 $/ピース
SI3464DV-T1-BE3
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$0 $/ピース
SCH1601-A-TL-W
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$0 $/ピース
HUF75344S3
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$0 $/ピース

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