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IRF621R

IRF621R

IRF621R

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF621R データシート

compliant

IRF621R 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
6837 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

RFD8P05SM9A
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MCT04N10B-TP
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$0 $/ピース
IPP60R065S7XKSA1
IPP65R190CFD7XKSA1
DMTH8008LFGQ-7
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$0 $/ピース
IXTT12N150HV-TRL
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$0 $/ピース
SI3139KA-TP
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RJK03J0DPA-00#J5A
R6024ENXC7G
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$0 $/ピース
ISK036N03LM5AULA1

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