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IRF630

IRF630

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Harris Corporation

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

IRF630 データシート

compliant

IRF630 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.21000 $1.21
50 $0.96900 $48.45
100 $0.84780 $84.78
500 $0.65752 $328.76
1,000 $0.51909 -
2,500 $0.48448 -
5,000 $0.46026 -
23207 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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IRFB11N50APBF-BE3
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RSJ151P10TL
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GKI04076
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MSC360SMA120S
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IPP065N04NG
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FQA34N20L
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STD20NF06LAG
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