ichome.comへようこそ!

logo

IRF643

IRF643

IRF643

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF643 データシート

compliant

IRF643 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
3050 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 220mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1275 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

GCMX080B120S1-E1
GCMX080B120S1-E1
$0 $/ピース
SI3400-TP
SI3400-TP
$0 $/ピース
IPP60R040S7XKSA1
DMTH48M3SFVWQ-13
DMT8012LPS-13
DMT8012LPS-13
$0 $/ピース
DMT4011LFG-13
DMT4011LFG-13
$0 $/ピース
IXTY1R6N100D2-TRL
IXTY1R6N100D2-TRL
$0 $/ピース
DMT10H003SPSW-13
PJMB390N65EC_R2_00601

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。