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IRF644B-FP001

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IRF644B - DISCRETE MOSFET

非準拠

IRF644B-FP001 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.65285 -
980 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 250 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 280mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 139W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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