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IRF730B

IRF730B

IRF730B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF730B データシート

非準拠

IRF730B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
475473 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 400 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 73W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

DMN3010LSS-13
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RQ6E050ATTCR
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FCI25N60N
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H5N2512FN-E
IXFN40N90P
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NDS355AN
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STD5P06VT4
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SISA72DN-T1-GE3
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