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IRF820

IRF820

IRF820

Harris Corporation

2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL

IRF820 データシート

compliant

IRF820 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.55440 -
3895 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

DMTH10H009LPSQ-13
SIL3400A-TP
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2SJ403
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NTND31215CZTAG
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DMT8008LFG-13
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IPB65R145CFD7AATMA1
DMT2004UFG-7
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NTMFS4C302NT3G
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R6020YNXC7G
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