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IRFBC42

IRFBC42

IRFBC42

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFBC42 データシート

compliant

IRFBC42 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1300 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IMBF170R450M1XTMA1
XP161A1355PR-G
SI4136DY-T1-GE3
SI4136DY-T1-GE3
$0 $/ピース
CSD18502KCS
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$0 $/ピース
TK8Q60W,S1VQ
IXFA3N120-TRR
IXFA3N120-TRR
$0 $/ピース
FDS6630A
FDS6630A
$0 $/ピース
AO6400
FDD390N15A
FDD390N15A
$0 $/ピース
FDMA905P
FDMA905P
$0 $/ピース

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