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IRFD113

IRFD113

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Harris Corporation

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

IRFD113 データシート

compliant

IRFD113 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
53569 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 800mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ 4-HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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