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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1A (Ta) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 10V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 18 nC @ 10 V |
| vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 390 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.3W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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