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IRFR222

IRFR222

IRFR222

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

IRFR222 データシート

非準拠

IRFR222 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
944 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 330 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SI2304-TP
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IRLR8729TRLPBF
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UJ4SC075011K4S
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NTD4810NH-1G
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NVLUS4C12NTAG
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SI4190ADY-T1-GE3
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SQ1431EH-T1_GE3
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BUK652R1-30C,127
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