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IRFW640BTM

IRFW640BTM

IRFW640BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IRFW640BTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
2753 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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DMP3056LDM-7
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IRF6215STRLPBF
IRF7820TRPBF
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$0 $/ピース
SUM70030M-GE3
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$0 $/ピース
SIDR626DP-T1-RE3
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C3M0120090J-TR
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