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IRFW840BTM

IRFW840BTM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IRFW840BTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
4800 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

MMBF170Q-13-F
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$0 $/ピース
IXFR102N30P
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$0 $/ピース
NTMFSC010N08M7
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$0 $/ピース
STD10NF30
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$0 $/ピース
SIR188DP-T1-RE3
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$0 $/ピース
DMP2165UW-13
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HUF75321D3ST
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SI1077X-T1-GE3
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STD10N60DM2
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2SK3116B-S19-AY

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