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LM5112MY

LM5112MY

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BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

LM5112MY データシート

compliant

LM5112MY 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
駆動構成 Low-Side
チャンネルタイプ Single
ドライバーの数 1
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 3.5V ~ 14V
ロジック電圧 - vil、vih 0.8V, 2.3V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 3A, 7A
入力タイプ Inverting, Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) -
上昇/下降時間(標準) 14ns, 12ns
動作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 8-MSOP-PowerPad
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関連部品番号

IR1166SPBF
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L6385E
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LMD18400N/NOPB
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IRS21281SPBF
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