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NVMD3P03R2G

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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NVMD3P03R2G 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.76230 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.34A (Tj)
rds オン (最大) @ id、vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 750pF @ 24V
パワー - 最大 730mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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SI1988DH-T1-E3
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