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RF1S50N06

RF1S50N06

RF1S50N06

Harris Corporation

50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

RF1S50N06 データシート

非準拠

RF1S50N06 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
2746 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2020 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 131W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

IXTA60N20T-TRL
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$0 $/ピース
PJQ5474A_R2_00001
SPA04N80C3XKSA1
R6018JNXC7G
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$0 $/ピース
NVBLS0D7N06C
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$0 $/ピース
MTP1302
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$0 $/ピース
SI7370DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
TK35A65W5,S5X
FDMC8588
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$0 $/ピース
FDB8441
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$0 $/ピース

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