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RF1S50N06LESM

RF1S50N06LESM

RF1S50N06LESM

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RF1S50N06LESM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
1705 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 50A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 142W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IPT65R060CFD7XTMA1
FQPF9P25YDTU
DMP3017SFV-7
DMP3017SFV-7
$0 $/ピース
NVTFWS052P04M8LTAG
NVTFWS052P04M8LTAG
$0 $/ピース
IRFR224TRPBF-BE3
IRFR224TRPBF-BE3
$0 $/ピース
SIPC03S2N03LX3MA1
DMTH4014LFVWQ-7
IPI80N07S405AKSA1
AON6314
2SK3510-Z-E1-AZ

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