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RF1S640SM

RF1S640SM

RF1S640SM

Harris Corporation

MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB

RF1S640SM データシート

compliant

RF1S640SM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.53000 $2.53
500 $2.5047 $1252.35
1000 $2.4794 $2479.4
1500 $2.4541 $3681.15
2000 $2.4288 $4857.6
2500 $2.4035 $6008.75
805 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1275 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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